俄罗斯晓谕自研EUV光刻机：比ASML更低廉、更容易制造！

快科技12月19日音信，据报说念，俄罗斯已公布自主开导EUV（极紫外光刻）光刻机的路子图，野心是比ASML的光刻机更低廉、更容易制造。

据悉，俄罗斯的自主光刻机弃取11.2nm的激光光源，而非ASML法度的13.5nm。这种波长将与现存的EUV缔造不兼容，需要俄罗斯开导我方的光刻生态系统，这可能需要十年或更永劫辰。

包括电子瞎想自动化（EDA）器具也需要进行更新。天然现存EDA器具仍可完成逻辑合成、布局和路由等基本门径，但波及曝光的要害制程，如光罩数据准备、光学相近改良（OPC）和分离率增强本事（RET），则需要从头校准或升级为符合11.2nm的新制程模子。

该技俩计较由俄罗斯科学院微结构物理征询所的Nikolay Chkhalo指点，意见是制造性能具竞争力且具老本上风的EUV光刻机，以起义ASML的缔造。

Chkhalo 暗示，11.2nm波长的分离率普及了20%，不错提供更高超的细节，同期简化瞎想并镌汰光学元件的老本。

这种转机权贵减少了光学元件的浑浊，延迟了网罗器和保护膜等要害部件的使用寿命。

俄罗斯的光刻机还可使用硅基光阻剂，预期在较短波长下将具备更出色的性能弘扬。 尽管该光刻机产量仅为ASML缔造的37%，因为其光源功率仅3.6千瓦，但性能足以搪塞小范围芯片分娩需求。

据报说念，俄罗斯光刻机的开导责任将分为三个阶段，第一阶段将聚焦于基础征询、要害本事识别与初步元件测试。

第二阶段将制造每小时可解决60片200毫米晶圆的原型机，并整合至国内芯片分娩线。

第三阶段的野心是打造一套可供工场使用的系统，每小时可解决60片300毫米晶圆。

现在还不明晰其光刻机将营救哪些制程本事，路子图也未提到各阶段完成的时辰表。