2025 IEEE ISSCC 学术会议日程公布，三星将先容 4XX 层 3D NAND

IT之家 11 月 27 日音问，ISSCC 官网现已公布 2025 IEEE ISSCC 国外固态电路会议的日程，该会议将于来岁 2 月 16 日~20 日在好意思国加州旧金山举行。

包括英特尔 CEO 帕特・基辛格、三星电子 DS 部存储器业务留意东谈主李祯培在内的四位业内东谈主士将在 17 日的整体会议上发饰演讲。帕特・基辛格将先容 AI 鸿沟各层级的一系列技艺，李祯培则将聚焦各样 AI 存储器过头发展。

在具体会议日程中，SRAM、非易失性存储与 DRAM 专题均在 2 月 19 日举行。

其中台积电将先容存储密度达 38.1 Mb / mm2 的 2nm Nanosheet 制程 SRAM，英特尔也将展示摄取 BSPDN 后头供电谋略的 Intel 18A RibbonFET 工艺高密度 SRAM。

而在非易失性存储与 DRAM 鸿沟，各主题骨子如下：

三星电子将带来 28Gb / mm2 密度的 4XX 层堆叠 1Tb 容量 3D TLC NAND，该闪存摄取晶圆键合技艺，I/O 引脚速度达 5.6Gb/s（对应 5600MT/s），不息IT之家此前报谈瞻望对应第 10 代 V-NAND。

铠侠-西部数据定约将先容 I/O 引脚速度 4.8Gb/s 的 1Tb 3D TLC NAND，该居品读取操作能效擢升了 29%。

在 GDDR7 方面，三星电子将先容 42.5Gbps 的 24Gb 居品，粗豪应本年 10 月告示成效开辟的型号。

三星电子还将展出第 5 代 10nm 级（1bnm、12nm 级）工艺的超高速 16Gb LPDDR5-Ultra-Pro DRAM，这一居品的 I/O 引脚速度达 12.7Gb/s，较已量产的 10.7Gb/s 进一步擢升。

而 SK 海力士则将带来 75MB/s 编程隐隐量的 321 层（V9）2Tb QLC NAND，这一堆叠数目和单位结构的闪存此前已在本年 8 月的 FMS 2024 展会上亮相。

SK 海力士还将同铠侠一同先容两边配合开辟的新式 64Gb DDR4 STT-MRAM，该存储器件不息了交叉点存储和磁良朋益友节结构。